Hien ass him eng Svtorentalstalstück agebaut an seng Appezéi faleauen ausgebaut. Als meescht rigell Aarte vu moderniesser Technologien, nei Technologien, nei Materialie an nei Projeten an och am Ferronnieren transportant.
En Drock Sensor ass en Apparat dat benotzt gouf fir Drock Signaler z'entdecken an se an elektresch Signaler ze konvertéieren no bestëmmte Regelen. Sou gëtt wéi Héicht vu verschiddene Produktioun, Industrika an eise Cookien, wou d'Ënnerwielung vun den Appasswirmung an de Gewënner an 120 Centur ass, wärend hien wéi 120 empfänkt ass, wéi och ëmmer déi Auswäertmitë benotzt, iwwer d'Matsproochschaft vu Flëssegkeet vun Uewerschenkel. ° C) feelt, resultéiert androckmiessungsfehler. Dofir, déi héich Temperaturdrock Sensor gëtt eng ganz wichteg Fuerschung Richtung.
Klassifikatioun vun héijer TemperaturDrock Sensoren
According to the different materials used, high-temperature pressure sensors can be divided into polysilicon (Poly-Si) high-temperature pressure sensors, SiC high-temperature pressure sensors, SOI (silicon on insulator) high-temperature pressure sensors, SOS (silicon on sapphire) silicon-sapphire pressure sensors, optical fiber High temperature pressure sensor and other different types.Judging from the current development situation, the research status and prospects vun der Sei High-Temperaturdrock Sensoren si ganz ideal. Déi folgend stellt haaptsächlech d'Soi héich Temperaturdrock Sensor vir.
Soi Héich Temperaturdrock Sensor
D'Entwécklung vu Seillyper Temperaturerschied. Déi eng Geleeënheet Struktur vum Sigi-Soi setzt Sëlwerziedelen tëscht der SIK-Shareer tëscht der Siefhikschlag an de Solute Schutzapport an d'Assistenzhëllef an d'Solutioun Layer tëscht der Siefhikschicht an der Solutionalitéit, déi d'Wourecht de Fournisse gerecht gëtt an de Siior -2 als Insuléierschicht. Déi eng Virschléi vum Soi mobilen ass Sëlwerschlag tëscht der SIDKIE Silaeur, dat haaptsächlech tëscht dem Siatesche Schicht trotzdem ërgelte gëtt, déi d'Insiderlikatioun an de Siefhikschicht an de Siefhändchicht a Verbreedung a Verbreedung a Verbreedungsstile a Verbreedungsstile a Verbreedung a Verbreedung. Zouverlässegkeet vum Apparat.IN Zomm vun den Héichzentrum vun der Pallperaturebarakteriséierung vum Sei-Gerätschicht, gëtt et en ideale Material fir eng ideal Temperaturer Sensoren.
Hei ginn d'Temperaturen en héijer Teller, sheschen, Sensorfall Sensacoren geplangt gekraschert, sinn d'Aarbechtsëmbektioun (480 ° Cre zréckgehenden Tektors Temperaturen am Horrichs Temperaturreservicer an den Horrschreiwungsystem. Den Organer Temperaturer Temperaturreservicer DI HËLLEF SEMORS SEMORS SEMORE TOMUSTONSATOR USE SIDATOR USECUTTIOUN A PHODEKTIOUN VUN DER P.Deromenter Zituatiounsstatsstitutiounen. Ech wäert d'Fett vun Technologen eng Technologie Fuerschung vun der Fähcher ausfahrt Fuerschungsmatch erakomm ass, an de gudden Projeten erakënnt.
Aarbechtsprinzip vu Soi héich Temperaturdrock Sensor
Beim Prinzips of thea héich Temperaturdrock Sensor, déi de Piezorentive Effekt vun der Silizal Silicon féiert. Ech sinn an enger Silikon Crysal, déi grusert ass an der Wendungen zu engem Verännerung vun der Mobilitéit vun den Meterrièren, déi an der Resistenz vum Silize vu Silizschaft féiert .fërmeg Silazer sinn an enger bestëmmter Richtung Fir eng Whatssteenbréck ze bilden wéi an der Figur 2 (a) gewisen; En Drock zréck Huelraum ass et op der Soi Substratschicht fir eng Drock sensibelstruktur ze bilden.
Figur 2 (a) whatsstone Bréck
Wann d'Resauer Spannung vu sengem Outplack Voglet an der Registär Wäert ënnerscheed ginn, d'Resistantradestär.
Fabrikatiounsprozess vu Soi héijen Temperaturdrock Sensor
De Virbereedungsprozess vum Soi héijen Temperatursdrock Sensor involvéiert multiple Mems Prozesser. E puer Equipement sinn kuerz hei per Eck vum Netz vum Sënn vum Secureieder, haaptsächlech Ariichtungssäit, an Drénke priorset.
De Schlëssel fir d'Virbereedung vu Varianzen läit an der Kontroll vun der Doping Konzentratioun an d'Optimiséierung vum pafolgende Etching Prozess; D'Metall Lead Layer servéiert haaptsächlech als Verbindung vun der WheTstone Bréck; d'Virbereedung vum Drock sensibel Film hänkt haaptsächlech am déiwen Silicon Etching Prozess; D'Verpackung vun der Kavitéit variéiert normalerweis ofhängeg vun der Uwendung vum Drock Sensor,
Zënter dem aktuellen Erkenntbarer héichverkierzerten Temperaturer Sensuren kënnen d'Temperaturercher net gutt erreechen. Zukünfteg Fuerschung op Soi héich-temperaturendem Sensors solle fokusséiere fir d'laangfristeg Stabilitéit a Selbstbehënnerung vun de Sensoren an der High-Temperaturer ze verbesseren an d'Rendez-vousen vun Déiere vu Déiere vu Drock. Aspekt.
Natierlech ass den Abente vun der intelligerer Ära och méi héich Temperaturvereedungen kombinéiert, kombinéiert eng Missioun aus der Sënnen Ëmfeld, fir sech selwer kloer komplex ze bréngen. An.
Postzäit: Mar-03-2023